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光學(xué)薄膜制備的基礎(chǔ)——真空技術(shù)

發(fā)布時(shí)間:2019-06-25瀏覽次數(shù):載入中...來源:http://11rl.cn/

真空是制備光學(xué)薄膜的基礎(chǔ)。目前,大部分薄膜的制備都是在真空條件下進(jìn)行的。本文簡要介紹與光學(xué)薄膜制備相關(guān)的基本真空知識。



1、真空的發(fā)現(xiàn)

在1641年,意大利數(shù)學(xué)家托里拆利(Torricelli)在一端封閉的長玻璃管內(nèi)加滿,然后緩慢的將管口倒置在一個(gè)盛滿的容器內(nèi),管內(nèi)的高度極值是76厘米,這時(shí)玻璃上方?jīng)]有的區(qū)域便是真空狀態(tài)。如果用水來代替,則水柱的高度極值是10.3米。



2、真空的定義和單位


真空是在給定的空間內(nèi)低于一個(gè)大氣壓力的氣體狀態(tài)。一般用真空度來表征真空,而真空度的高低用壓強(qiáng)(作用在單位面積上的力)來衡量。壓強(qiáng)所采用的法定計(jì)量單位是帕斯卡(Pascal),系米公斤秒制單位,是目前國際上推薦使用的國際單位制(SI),簡稱帕(Pa)。目前在實(shí)際工程技術(shù)中有幾種舊單位還在延用,幾種舊單位與帕斯卡之間的轉(zhuǎn)換關(guān)系如下:

(1)  標(biāo)準(zhǔn)大氣壓(atm):

1atm=1.01325х105Pa=760 Torr。


(2)  托(Torr):

1 Torr=1/760atm=133.3Pa。

(3)  巴(bar):

1 bar= 1 atm =1000 mbar

(4)  豪巴(mbar):

1 mbar=7.5х10-1 Torr=100Pa。



3、真空在薄膜鍍制中的作用


氣體分子無時(shí)無刻都在做無規(guī)則的熱運(yùn)動(dòng),分子與分子之間,以及分子與容器壁之間都不斷的發(fā)生著碰撞。常溫常壓條件下,氣體的分子密度約為3х1019個(gè)/cm3,每個(gè)空氣分子每秒中內(nèi)要經(jīng)歷1010次碰撞。氣體的分子運(yùn)動(dòng)軌跡就不是一條直線,而是一條不斷碰撞的同時(shí)不斷改變方向的折線。如果在這樣的環(huán)境下鍍膜,蒸發(fā)粒子將會(huì)與其它分子頻繁發(fā)生碰撞,不斷改變方向,也會(huì)增加與其它分子發(fā)生反應(yīng)的幾率,蒸發(fā)速率和膜厚也就無法控制。要想避免這些不利因素,就需要我們在真空的條件下來進(jìn)行。




真空區(qū)域的劃分

為了便于討論和實(shí)際應(yīng)用,常把真空劃分為:粗真空(>103Pa)、低真空(103~10-1Pa)、高真空(10-1~10-6Pa)、超高真空(<10-6Pa)四個(gè)區(qū)域。粗真空的氣態(tài)空間近似大氣狀態(tài),分子以熱運(yùn)動(dòng)為主,其氣流特性以氣體分子之間的碰撞為主;低真空氣體分子的流動(dòng)逐漸從粘滯流狀態(tài)向分子流狀態(tài)過渡為主,此時(shí)分子之間和分子與容器壁之間的碰撞次數(shù)差不多;高真空的氣體流動(dòng)為分子流,以氣體分子與器壁碰撞為主,碰撞次數(shù)明顯減少,在高真空下蒸發(fā)的材料,粒子將沿直線飛行。



真空度是氣體分子熱運(yùn)動(dòng)的宏觀表現(xiàn),另有微觀參量“自由程”:氣體分子之間相鄰兩次碰撞的距離,其統(tǒng)計(jì)平均值稱為“平均自由程”。

設(shè)N0個(gè)蒸發(fā)粒子行進(jìn)距離d后,未受殘余氣體粒子碰撞的數(shù)目為:

Nd= N0e-d/l(1)

被碰撞的分子百分?jǐn)?shù):

f=1- Nd/ N0=1- e-d/l(2)

根據(jù)(2)式計(jì)算可知,當(dāng)平均自由程等于蒸發(fā)源到基底的距離時(shí),有63%的蒸發(fā)粒子發(fā)生碰撞;如果平均自由程增加10倍,則碰撞的粒子數(shù)減小到9%??梢姡挥性谄骄杂沙瘫日舭l(fā)源到基底的距離大得多的情況下,才能有效地減少碰撞現(xiàn)象的發(fā)生。

假如平均自由程足夠大,且滿足條件l>>d,則有:

f≈d/l(3)

又因?yàn)?

l≈0.667/P(P為壓強(qiáng))(4)

將(4)式代入(3)式可得:

f≈1.5dP(5)

為保證膜層質(zhì)量,設(shè)f≤10-1。當(dāng)蒸發(fā)源到基底的距離d=30cm時(shí),則P≤2.2×10-3Pa。由(5)式可知鍍膜機(jī)的真空室越大,及蒸發(fā)源到基底的距離越長,則需要的真空度就越高。



真空在薄膜制備中的作用有兩個(gè):一是減少蒸發(fā)粒子與其它氣體粒子之間的碰撞,二是抑制蒸發(fā)分子與其它氣體分子發(fā)生反應(yīng)。

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